电子元器件失效分析
电子元器件失效分析目的是借助各种测试分析设备和技术确认电子元器件的失效现象,分辨其失效模式和失效机理,确定其最终的失效原因。在提高元器件质量,技术开发、改进,产品修复及仲裁失效事故等方面具有很强的实际意义,通过分析和验证,模拟重现失效的现象,找出元器件失效的原因,挖掘出失效的机理。方法分为有损分析,无损分析,物理分析,化学分析等。
元器件失效分析的作用:
(1)为电子元器件设计和工艺改进提供依据,对提升产品可靠性指引方向;
(2)在工艺控制、筛选、验证试验和评估认证等方面,为元器件生产厂和质量监督部门制定合理的最佳试验方法和规范提供依据。
(3)为用户合理选择元器件、正确使用元器件及整机可靠性设计提供依据。
(4)通过分清偶然失效和批次缺陷,为整批元器件的使用和报废提供决策依据。
主要失效模式:
开路、短路、烧伤、击穿、漏电、功能失效、电参数漂移、CAF失效、非稳定失效等
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发光二极管绑定线断 | 晶元与银胶结合处开裂 | 三极管引脚处击穿 |
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三极管键合点脱落 | 芯片晶元击穿 | 芯片塑封分层(红色位置) |
常用失效分析技术手段:
- (1)无损分析技术:
- 外观形貌分析
- X-ray透射技术
- X-ray(3D)技术
- 声学扫描显微镜技术
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三极管引脚位置声学扫描 |
- (2)电性能测试:
- 连接性测试
- 电参数测试
- 功能测试
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电参数测试 |
- (3)有损分析测试:
- 金相切片分析
- 形貌观察SEM(断面)
- 开封技术(机械开封、激光开封、化学开封)
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芯片开封 |
- (4)表面元素分析:
- 扫描电子显微镜及能谱分析(SEM/EDS)
- 拉曼光谱仪分析
- 膜厚测试仪(EDXRF)
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EDS成分谱图 |